[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法

权利要求书

1.一种钨硅靶坯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将钨粉和硅粉的混粉进行高能球磨，得到初合金粉；

(2)将步骤(1)得到的初合金粉置于模具中并进行抽真空处理，之后依次进行第一热处理、保温保压和冷却，得到所属钨硅靶坯。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混粉中钨粉和硅粉的质量比为(2.3-2.8):1。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述高能球磨在保护气氛下进行；

优选地，所述保护气氛的分压为0.1-0.2MPa；

优选地，所述保护气氛包括氮气和/或惰性气体。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述高能球磨中磨球与混粉的质量比为(9-11):1；

优选地，步骤(1)所述高能球磨的时间为50-60h。

5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述模具中粉末的平面度＜0.5mm；

优选地，步骤(2)所述抽真空处理的终点为绝对真空度＜40Pa。

6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一热处理的升温速率为8-12℃/min；

优选地，步骤(2)所述第一热处理的升温过程中对粉末施加有恒定压力；

优选地，所述恒定压力的大小为3.7-4.7MPa。

7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一热处理的保温温度为1300-1400℃；

优选地，步骤(2)所述第一热处理的时间为1-2h。

8.如权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述保温保压的压力为35-40MPa；

优选地，步骤(2)所述保温保压的升压时间≤60min；

优选地，步骤(2)所述保温保压的时间为2-3h。

9.如权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述冷却在保护气氛下进行；

优选地，所述保护气氛包括氮气和/或惰性气体；

优选地，所述保护气氛的通入终点为至炉内压力P为-0.08MPa≤P≤-0.06MPa；

优选地，步骤(2)所述冷却的终点温度＜200℃。

10.如权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将钨粉和硅粉的混粉进行高能球磨，得到初合金粉；所述混粉中钨粉和硅粉的质量比为(2.3-2.8):1；所述高能球磨在保护气氛下进行；所述保护气氛的分压为0.1-0.2MPa；所述保护气氛包括氮气和/或惰性气体；所述高能球磨中磨球与混粉的质量比为(9-11):1；所述高能球磨的时间为50-60h；

(2)将步骤(1)得到的初合金粉置于模具中并进行抽真空处理，之后依次进行第一热处理、保温保压和冷却，得到所属钨硅靶坯；所述模具中粉末的平面度＜0.5mm；所述抽真空处理的终点为绝对真空度＜40Pa；所述第一热处理为在升温速率为8-12℃/min升温至1300-1400℃处理1-2h，同时升温过程中对粉末施加有3.7-4.7MPa的恒定压力；所述保温保压在升压时间≤60min内控制压力为35-40MPa，之后保压2-3h；所述冷却在保护气氛下进行；所述保护气氛包括氮气和/或惰性气体；所述保护气氛的通入终点为至炉内压力P为-0.08MPa≤P≤-0.06MPa；所述冷却的终点温度＜200℃。