[发明专利]相变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111124084.6 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838974A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 贺祖茂;刘峻;杨红心;王恩博 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储器及其制备方法。通过对氮化硅层进行羟基化处理以在氮化硅层的表面上产生硅羟基，提高了氮化硅层和有机材料层之间的粘附性能，使得有机材料层可直接形成在氮化硅层上，从而可以省略有机材料层和氮化硅层之间的粘合层，有利于增大氮化硅层的厚度，提高对相变层的保护强度，改善所制备出的相变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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