[发明专利]相变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底上形成多个相变存储结构，相邻的相变存储结构之间相互间隔设置；

在所述相变存储结构的侧壁上形成氮化硅层，并对所述氮化硅层进行羟基化处理，以在所述氮化硅层的表面上产生硅羟基；以及，

在相邻的相变存储结构之间的间隙内填充有机材料层，以使所述有机材料层与所述氮化硅层的表面上的所述硅羟基发生脱水缩合反应。

2.如权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，对所述氮化硅层进行羟基化处理的方法包括：利用过氧化氢和强酸的混合溶液对所述氮化硅层进行表面处理。

3.如权利要求2所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，过氧化氢和强酸的混合溶液是利用过氧化氢溶液和硫酸溶液以体积比为1:4～3:7的比例混合形成，其中，过氧化氢溶液为30％质量分数的过氧化氢溶液，硫酸溶液为98％质量分数的硫酸溶液。

4.如权利要求2所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，过氧化氢和强酸的混合溶液是利用过氧化氢溶液和硝酸溶液以体积比为1:6～1:3的比例混合形成，其中，过氧化氢溶液为30％质量分数的过氧化氢溶液，硝酸溶液为98％质量分数的硝酸溶液。

5.如权利要求2-4任一项所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，羟基化处理时混合溶液的温度为50℃～100℃。

6.如权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，填充所述有机材料层的方法包括：执行旋涂工艺，以将有机材料填充在所述间隙内；以及，执行固化工艺以固化所述有机材料形成所述有机材料层。

7.如权利要求6所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述固化工艺中的固化温度为180℃-220℃。

8.如权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度大于25埃。

9.如权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述相变存储结构包括由下至上依次堆叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变层和第三电极层；或者，所述相变存储结构包括由下至上依次堆叠设置的第一电极层、相变层、第二电极层、选通层和第三电极层。

10.一种相变存储器，其特征在于，包括：

多个间隔设置的相变存储结构；

氮化硅层，覆盖所述相变存储结构的侧壁，且所述氮化硅层的表面有硅羟基；以及，

有机材料层，填充在相邻的相变存储结构之间的间隙内，并直接接触所述氮化硅层。

11.如权利要求10所述的相变存储器，其特征在于，所述氮化硅层的厚度大于25埃。