[发明专利]一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法在审
| 申请号： | 202111119357.8 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838756A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 史志扬 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 马进 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善Trench‑IGBT晶圆微形变的器件制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底上进行Ring光刻/注入/退火以及场氧氧化和光刻刻蚀，形成耐压场限环；在设计好的有源区进行Pwell注入和高温推阱，形成Pwell层，然后进行Trench光刻/刻蚀，形成Trench槽形貌；生长栅氧化层和多晶硅淀积，并经过多晶光刻和刻蚀后形成栅极；进行N+光刻/注入/退火后形成发射极；进行ILD淀积隔离栅极和发射极，通过接触孔光刻和刻蚀形成接触孔；进行METAL溅射工艺，把栅极和发射极引出；进行PAD层的淀积和光刻刻蚀，得到器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 trench igbt 晶圆微 形变 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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