[发明专利]一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法在审
| 申请号： | 202111119357.8 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838756A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 史志扬 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 马进 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 trench igbt 晶圆微 形变 器件 制备 方法 | ||
1.一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在半导体衬底上进行Ring光刻/注入/退火以及场氧氧化和光刻刻蚀，形成耐压场限环；
在设计好的有源区进行Pwell注入和高温推阱，形成Pwell层，然后进行Trench光刻/刻蚀，形成Trench槽形貌；
生长栅氧化层和多晶硅淀积，并经过多晶光刻和刻蚀后形成栅极；
进行N+光刻/注入/退火后形成发射极；
进行ILD淀积隔离栅极和发射极，通过接触孔光刻和刻蚀形成接触孔；
进行METAL溅射工艺，把栅极和发射极引出；
进行PAD层的淀积和光刻刻蚀，得到器件。
2.根据权利要求1所述的一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，所述高温推阱在1150°下进行。
3.根据权利要求1所述的一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的生长方法包括：利用炉管生长栅氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，所述炉管为垂直式炉管或水平式炉管。
5.根据权利要求1所述的一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为500-5000埃。
6.根据权利要求1所述的一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，所述多晶硅的淀积方法包括：低压化学气相淀积法。
7.根据权利要求1所述的一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，所述多晶硅的厚度为2000-20000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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