[发明专利]金属互连结构及其制备方法、外围电路、存储器及其系统

摘要

本申请提供了一种金属互连结构的制备方法、一种金属互连结构、一种外围电路、一种电子设备、一种存储器以及一种存储系统，金属互连结构的制备方法包括：在衬底上形成间隔排列的多个芯轴，并在芯轴的两侧形成侧墙；形成覆盖芯轴和侧墙的介质层；去除部分介质层以暴露侧墙的顶表面；去除侧墙以形成沟槽；以及采用金属层填充沟槽。相较于刻蚀芯轴后以剩余的侧墙为掩膜刻蚀诸如基底等待刻蚀层以形成沟槽的常规方法，本申请提供的金属互连结构的制备方法，通过去除作为牺牲层的侧墙以形成容纳金属层的沟槽，可减少刻蚀的次数，简化工艺步骤，降低制造成本，并提高最终形成的半导体器件产品的良率。