[发明专利]金属互连结构及其制备方法、外围电路、存储器及其系统

权利要求书

1.一种金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成间隔排列的多个芯轴，并在所述芯轴的两侧形成侧墙；

形成覆盖所述芯轴和所述侧墙的介质层；

去除部分所述介质层以暴露所述侧墙的顶表面；

去除所述侧墙以形成沟槽；以及

采用金属层填充所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在平行于所述芯轴的排列方向上，所述侧墙的厚度小于等于所述芯轴的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分所述介质层包括：

采用化学机械研磨工艺去除部分所述介质层，

其中，去除部分所述介质层的研磨操作停止于所述芯轴的远离所述衬底的表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯轴的两侧形成侧墙包括：

采用原子层沉积工艺形成预备层，其中所述预备层覆盖所述芯轴；以及

去除所述预备层的、位于所述芯轴的顶面以及位于多个所述芯轴的侧壁之间的部分，以形成所述侧墙。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述侧墙相对于所述芯轴具有大于设定值的刻蚀选择比，以在去除所述侧墙时保留所述芯轴。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙包括氮化硅层、氮化钛层以及氧化钛层中的至少之一。

7.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，去除所述侧墙以形成沟槽包括：

采用湿法刻蚀工艺或者原子层刻蚀工艺去除所述侧墙。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成相互具有预定间隔的多个芯轴包括：

在所述衬底上形成芯轴层；

形成覆盖所述芯轴层的刻蚀掩膜层；

对所述刻蚀掩膜层进行图案化，以形成多个所述芯轴的图案；以及

以图案化的所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀所述芯轴层以形成间隔排列的多个所述芯轴。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用金属层填充所述沟槽包括：

填充所述沟槽；以及

去除部分所述金属层，以使所述金属层的顶面与所述芯轴的顶面齐平。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，填充所述沟槽包括：

采用电镀、化学气相沉积、物理气相沉积中的至少一种或任意组合工艺填充所述沟槽。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，去除部分所述金属层包括：

采用化学机械研磨工艺去除部分所述金属层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，在平行于所述芯轴的排列方向上，所述侧墙的厚度为W1，其中：

20nm≤W1≤30nm。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，在平行于所述芯轴的排列方向上，所述芯轴的厚度为W2，其中：

30nm≤W2≤50nm。

14.一种金属互连结构，其特征在于，包括：

衬底；以及

互连层，设置于所述衬底上，并包括：金属层、芯轴以及层间介质层，

其中，所述芯轴与所述层间介质层之间设置有沟槽；

所述金属层设置于所述沟槽中；以及

所述金属层在平行于所述芯轴的排列方向具有均匀的厚度。

15.根据权利要求14所述的金属互连结构，其特征在于，

在平行于所述芯轴的排列方向上，所述金属层的厚度小于等于所述芯轴的厚度。