[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202111114186.X | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114335007A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11595 | 分类号： | H01L27/11595;H01L27/1159;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一导电膜、铁电膜、绝缘层、第一插塞和第二插塞。半导体衬底包括形成在其主表面上的源极区和漏极区。绝缘膜形成在半导体衬底上使得在平面图中绝缘膜位于源极区与漏极区之间。第一导电膜形成在绝缘膜上。铁电膜形成在第一导电膜上。绝缘层覆盖第一导电膜和铁电膜。第一插塞到达第一导电膜。第二插塞到达铁电膜。铁电膜的材料包括铪和氧。在平面图中，铁电膜的尺寸比绝缘膜的尺寸小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
