[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，包括形成在所述半导体衬底的主表面上的源极区和漏极区；

绝缘膜，形成在所述半导体衬底的所述主表面上使得在平面图中所述绝缘膜位于所述源极区与所述漏极区之间；

第一导电膜，形成在所述绝缘膜上；

铁电膜，形成在所述第一导电膜上；

绝缘层，形成在所述半导体衬底上使得所述绝缘层覆盖所述第一导电膜和所述铁电膜；

第一插塞，形成在所述绝缘层中使得所述第一插塞到达所述第一导电膜；以及

第二插塞，形成在所述绝缘层中使得所述第二插塞到达所述铁电膜，

其中所述铁电膜的材料包含铪和氧，并且

其中在平面图中，所述铁电膜的尺寸比所述绝缘膜的尺寸小。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述源极区和所述漏极区彼此相对的相对方向上，所述铁电膜的长度比所述第一导电膜的长度小。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括第二导电膜，所述第二导电膜形成在所述铁电膜与所述第二插塞之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一导电膜的厚度比所述第二导电膜的厚度小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在平面图中所述第一导电膜具有第一边和第二边，所述第一边与所述第二边位于彼此相对的两侧，并且

其中在所述源极区和所述漏极区彼此相对的相对方向上，所述第一边与所述铁电膜之间的距离、与所述第二边与所述铁电膜之间的距离基本相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

第三插塞，形成在所述绝缘层中使得所述第三插塞到达所述源极区；以及

第四插塞，形成在所述绝缘层中使得所述第四插塞到达所述漏极区，

其中在平面图中，所述第二插塞、所述第三插塞和所述第四插塞，沿所述源极区和所述漏极区彼此相对的相对方向来设置。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，包括隔离绝缘膜，所述隔离绝缘膜形成在所述半导体衬底的所述主表面上使得在平面图中所述隔离绝缘膜包围所述源极区和所述漏极区，

其中在平面图中，所述第一插塞与所述隔离绝缘膜重叠。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中在平面图中所述第一导电膜具有第一短边和第二短边，所述第一短边与所述第二短边位于彼此相对的两侧，并且

其中在平面图中，所述第一插塞形成在所述第一短边与所述铁电膜之间。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中在平面图中所述第一导电膜具有第一长边和第二长边，所述第一长边与所述第二长边位于彼此相对的两侧，并且

其中在平面图中，所述第一插塞形成在所述第一长边与所述铁电膜之间。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中在所述源极区和所述漏极区彼此相对的相对方向上，位于所述源极区与所述漏极区之间的区域上的、所述铁电膜的一部分的长度与所述第一导电膜的长度基本相同。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中在所述源极区和所述漏极区彼此相对的相对方向上，位于所述隔离绝缘膜上的、所述铁电膜的一部分的长度比所述第一导电膜的长度小。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一导电膜的材料包含氮化钛，

其中所述第一插塞的材料包含钨，并且

其中所述第二插塞的材料包含钨。