[发明专利]一种双极结型晶体管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111113203.8 申请日: 2021-09-23
公开(公告)号: CN113851526A 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 周春宇;尚建蕊;李作为;关义春;李书林;耿欣;蒋巍;乔世峰 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/73;H01L21/331
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 刘婷;朱伟军
地址: 066004 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 本申请属于半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小,并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管,在第一方向上,包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区,第一方向为由衬底指向P型集电区的方向;鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区;SiO2层上设置有发射极接触,SiC应变外延层上设置有基极接触,P型集电区上设置有集电极接触;SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力,空穴迁移率增加,减小基区与集电区渡越时间,增加器件的特征频率。
搜索关键词: 一种 双极结型 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
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