[发明专利]一种铁原子掺杂诱导1T-MoS2

摘要

本发明公开了一种铁原子掺杂诱导1T‑MoS2/石墨烯复合材料及其制备方法和应用。制备方法如下：将一定摩尔比例的钼源、硫源，分散溶解于一定体积的石墨烯分散液中。铁源溶液在磁力搅拌的作用下逐滴缓慢加入，在磁力搅拌和超声的作用下，形成均匀混合溶液。将混合溶液转移至聚四氟乙烯高压反应釜中，高温下一步水热反应得到铁原子掺杂诱导1T‑MoS2/石墨烯复合材料。本发明所制得铁原子掺杂诱导1T‑MoS2/石墨烯复合材料，结构为十到几十片1T‑MoS2纳米片堆积而成三维球状纳米花，均分分散在石墨烯基底上，复合材料孔隙丰富，表面积大，1T含量高，导电性好，结构稳定，具有优异的电解水析氢活性和良好的循环稳定性。