[发明专利]一种二维非层状CuGaSe2有效

专利信息
申请号: 202111094633.X 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113683060B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 王文亮;冯文玲;王卫华;赵玉彤;张文骞;刘梦雪 申请(专利权)人: 曲阜师范大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;B82Y40/00;C02F1/30;B01J27/057;B01J35/02;B01J35/00;C02F101/20;C02F101/22;C02F101/30
代理公司: 山东知圣律师事务所 37262 代理人: 陈晓辉
地址: 272000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开一种二维非层状CuGaSe2多孔纳米材料及其制备方法和应用。该纳米材料的微观形貌为纳米级多孔片状结构,且该纳米材料的晶型为四方相。所述制备方法包括步骤:(1)将铜源溶于有机胺、油酸和十八烯构成的反应介质中,得A溶液。(2)将溶有硒源的十八烯溶液加入预热的所述A溶液中,得B溶液。(3)在所述B溶液进行溶剂热反应的过程中加入溶有镓源的油胺溶液,继续进行溶剂热反应,完成后分离出固体产物,即得二维非层状CuGaSe2多孔纳米材料。相对于现有的纳米颗粒形态的CuGaSe2,本发明方法制备的CuGaSe2材料为高结晶度的二维非层状多孔纳米材料,具有优异的环境污染物降解能力。
搜索关键词: 一种 二维 层状 cugase base sub
【主权项】:
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