[发明专利]一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机在审
| 申请号: | 202111093050.5 | 申请日: | 2021-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN113903685A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
| 发明(设计)人: | 王珏 | 申请(专利权)人: | 王珏 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;B08B3/02;B08B3/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315000 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机,涉及蚀刻机技术领域,包括机箱,所述机箱的内腔设置有蚀刻台,所述蚀刻台顶面的中部设置有固定盘,所述固定盘的侧面设置有第一凸起部,所述固定盘的侧面设置有第二凸起部,所述蚀刻台的内部固定安装有伺服电机。该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机,通过第二凸起部与顶板之间的挤压配合,推动两块推动块通过滑杆沿导向滑槽进行相互远离的移动,使得两块推动块之间形成大于半导体晶圆面积的区域,使得半导体晶圆移动至支撑板的顶面,并在第二弹簧的弹力作用下使得两块推动块对半导体晶圆进行挤压配合,实现了自动对半导体晶圆进行固定的功能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 连续 半导体 湿法 蚀刻 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





