[发明专利]一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机在审

专利信息
申请号: 202111093050.5 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113903685A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 王珏 申请(专利权)人: 王珏
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677;B08B3/02;B08B3/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315000 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机,涉及蚀刻机技术领域,包括机箱,所述机箱的内腔设置有蚀刻台,所述蚀刻台顶面的中部设置有固定盘,所述固定盘的侧面设置有第一凸起部,所述固定盘的侧面设置有第二凸起部,所述蚀刻台的内部固定安装有伺服电机。该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机,通过第二凸起部与顶板之间的挤压配合,推动两块推动块通过滑杆沿导向滑槽进行相互远离的移动,使得两块推动块之间形成大于半导体晶圆面积的区域,使得半导体晶圆移动至支撑板的顶面,并在第二弹簧的弹力作用下使得两块推动块对半导体晶圆进行挤压配合,实现了自动对半导体晶圆进行固定的功能。
搜索关键词: 一种 连续 半导体 湿法 蚀刻
【主权项】:
暂无信息
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