[发明专利]一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机

权利要求书

1.一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，包括机箱（1），其特征在于：所述机箱（1）的内腔设置有蚀刻台（2），所述蚀刻台（2）顶面的中部设置有固定盘（5），所述固定盘（5）的侧面设置有第一凸起部（9），所述固定盘（5）的侧面设置有第二凸起部（10），所述蚀刻台（2）的内部固定安装有伺服电机（3），所述伺服电机（3）的输出轴连接有转动盘（4），所述转动盘（4）的顶部设置有电动液压杆（7），所述电动液压杆（7）输出端的顶部固定连接有升降块（6），所述升降块（6）的侧面固定连接有若干组连杆（11），所述连杆（11）的一端固定连接有支撑板（8），若干所述支撑板（8）均匀布置在固定盘（5）的侧部，所述支撑板（8）的表面对称设置有倾斜的两个导向滑槽（17），所述导向滑槽（17）的内腔设置有滑杆（35），所述滑杆（35）的一端延伸至支撑板（8）的顶面且固定连接有推动块（36），所述滑杆（35）的另一端分别延伸至支撑板（8）的底部且固定连接有定位板（37），一个所述定位板（37）内侧面的中部设置有带有内腔的定位套（40），另一个所述定位板（37）内侧面的中部设置有定位杆（39），所述定位杆（39）的一端活动套接至定位套（40）的内腔，所述定位套（40）的外侧套接有第二弹簧（41），所述第二弹簧（41）的两端分别与两个定位板（37）的内侧面相连接，两个所述定位板（37）靠近固定盘（5）的一侧均设置有顶板（38），两个所述顶板（38）相互滑动贴合，所述顶板（38）的位置与第二凸起部（10）相适配，所述支撑板（8）的顶面设置有贯穿前后侧壁的定位滑槽（18），所述定位滑槽（18）的内腔设置有定位滑块（21），所述定位滑块（21）顶端的一端且位于支撑板（8）的上方固定连接有推板（34），所述推板（34）的位置与第一凸起部（9）的位置相适配，所述支撑板（8）的顶面且靠近固定盘（5）的一侧设置有挡块（19），所述挡块（19）的内侧固定连接有第一弹簧（20），所述第一弹簧（20）的一端与推板（34）的侧面相连接。

2.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述蚀刻台（2）的顶部开设有刻蚀槽（13），所述蚀刻台（2）的顶部开设有碱洗槽（14），所述蚀刻台（2）的顶部开设有HF酸槽（15），所述蚀刻台（2）的顶部开设有清洗槽（16），所述清洗槽（16）的内壁设置有吸嘴（25），所述刻蚀槽（13）、碱洗槽（14）、HF酸槽（15）以及清洗槽（16）的位置与支撑板（8）相适配。

3.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述蚀刻台（2）的顶面设置有支撑块（26），所述支撑块（26）的侧面设置有电动伸缩杆（30），所述电动伸缩杆（30）的输出端延伸至清洗槽（16）的上方且固定连接有喷水管（31），所述喷水管（31）的底部开设有喷水孔（32），所述支撑块（26）的上方设置有过滤箱（27），所述过滤箱（27）的内腔设置有过滤海绵（28），所述过滤箱（27）的顶部螺纹安装有密封盖（29），所述过滤箱（27）的侧面固定连接有导水软管（33），所述导水软管（33）的一端延伸至喷水管（31）的内腔，所述蚀刻台（2）的侧面且位于清洗槽（16）的外侧固定连接有安装块（22），所述安装块（22）的顶面固定安装有水泵（23），所述水泵（23）的输入端和输出端均固定连接有吸水管（24），一个所述吸水管（24）的一端与吸嘴（25）相连接，另一个所述吸水管（24）的一端延伸至过滤箱（27）的内腔。

4.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述推板（34）的高度大于推动块（36）的高度。

5.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述机箱（1）的外侧设置有进料传送机构（42），所述进料传送机构（42）的一端延伸至机箱（1）的内腔且与第二凸起部（10）的位置相适配，所述机箱（1）的外侧设置有出料传送机构（43），所述出料传送机构（43）的一端延伸至机箱（1）的内腔与第一凸起部（9）的位置相适配。

6.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述转动盘（4）的底部卡接有支撑滚珠（12），所述支撑滚珠（12）的表面与固定盘（5）的顶面相贴合。

7.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述机箱（1）的正面铰接有维修门（45），所述维修门（45）的中部设置有钢化玻璃（46），所述机箱（1）的正面固定安装有控制面板（44），所述控制面板（44）分别与伺服电机（3）、电动液压杆（7）、进料传送机构（42）、出料传送机构（43）电性连接。