[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统在审
申请号: | 202111077421.0 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN114446975A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 孙荣晥 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体器件,包括栅电极结构、沟道、划分图案、绝缘图案结构、通孔和支撑结构。栅电极结构在衬底上,并且包括在垂直于衬底的第一方向上堆叠的栅电极。栅电极中的每个栅电极在平行于衬底的第二方向上延伸。沟道延伸通过栅电极结构。划分图案在平行于衬底的第三方向上在栅电极结构的两侧中的每一侧处。绝缘图案结构延伸通过栅电极结构。通孔延伸通过绝缘图案结构。支撑结构延伸通过绝缘图案结构与划分图案之间的栅电极结构。支撑结构包括分别在第二方向和第三方向上延伸的第一延伸部分和第二延伸部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 包括 数据 存储系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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