[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统在审

专利信息
申请号: 202111077421.0 申请日: 2021-09-14
公开(公告)号: CN114446975A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 孙荣晥 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪雯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件,包括栅电极结构、沟道、划分图案、绝缘图案结构、通孔和支撑结构。栅电极结构在衬底上,并且包括在垂直于衬底的第一方向上堆叠的栅电极。栅电极中的每个栅电极在平行于衬底的第二方向上延伸。沟道延伸通过栅电极结构。划分图案在平行于衬底的第三方向上在栅电极结构的两侧中的每一侧处。绝缘图案结构延伸通过栅电极结构。通孔延伸通过绝缘图案结构。支撑结构延伸通过绝缘图案结构与划分图案之间的栅电极结构。支撑结构包括分别在第二方向和第三方向上延伸的第一延伸部分和第二延伸部分。
搜索关键词: 半导体器件 包括 数据 存储系统
【主权项】:
暂无信息
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