[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅电极结构，位于衬底上，所述栅电极结构包括在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每个栅电极在平行于所述衬底的上表面的第二方向上延伸；

沟道，在所述第一方向上延伸通过所述栅电极结构；

划分图案，位于所述栅电极结构在第三方向上的相对两侧中的每一侧处，所述第三方向平行于所述衬底的上表面且与所述第二方向相交，所述划分图案在所述第二方向上延伸；

绝缘图案结构，延伸通过所述栅电极结构的一部分；

通孔，在所述第一方向上延伸通过所述绝缘图案结构；以及

支撑结构，在所述第一方向上延伸通过所述栅电极结构在所述绝缘图案结构与所述划分图案之间的部分，

其中，所述支撑结构包括：

第一延伸部分，在平面图中在所述第二方向上延伸；以及

第二延伸部分，连接到所述第一延伸部分，所述第二延伸部分从所述第一延伸部分在所述第三方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二延伸部分从所述第一延伸部分在所述第二方向上的相对两个端部中的每个端部在所述第三方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二延伸部分从所述第一延伸部分在所述第二方向上的中部在所述第三方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分中的每个延伸部分的角在平面图中是圆滑的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述支撑结构是在所述第二方向上彼此间隔开的多个支撑结构中的一个支撑结构，以及

所述多个支撑结构形成支撑结构列，并且所述支撑结构列是在所述第三方向上彼此间隔开的多个支撑结构列中的一个支撑结构列。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述支撑结构是第一支撑结构，以及

所述半导体器件还包括所述划分图案与所述第一支撑结构之间的第二支撑结构，所述第二支撑结构具有圆形、椭圆形、矩形或具有圆角的圆角矩形的形状。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

接触插塞，在所述第一方向上延伸以接触所述栅电极中的每个栅电极在所述第二方向上的端部的上表面；以及

第三支撑结构，在所述第一方向上延伸通过所述栅电极结构，所述第三支撑结构与所述接触插塞相邻，

其中，所述第三支撑结构在平面图中具有与所述第二支撑结构相同的形状。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述支撑结构包括第一支撑结构和第二支撑结构，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构在所述第三方向上各自布置在所述划分图案与所述绝缘图案结构之间，

所述第一延伸部分和所述第二延伸部分各自是所述第一支撑结构的一部分，

所述第二延伸部分在所述第三方向上从所述第一延伸部分在所述第二方向上的相对两个端部中的每个端部朝所述第二支撑结构延伸，

所述第二支撑结构包括两个第三延伸部分，所述两个第三延伸部分在所述第二方向上延伸并在所述第三方向上彼此间隔开，

所述第二支撑结构包括三个第四延伸部分，所述三个第四延伸部分在所述第三方向上延伸并在所述第二方向上彼此间隔开，

所述两个第三延伸部分不沿所述第二方向彼此对准，

所述两个第三延伸部分在所述第二方向上的端部中的对应端部分别在所述第三方向上彼此重叠，并且由所述第四延伸部分中的一个第四延伸部分彼此连接，以及

所述第四延伸部分中的另外两个从所述两个第三延伸部分在所述第二方向上的外端部在所述第三方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述第二支撑结构是在所述第二方向上彼此间隔开的多个第二支撑结构中的一个第二支撑结构，以及

所述多个第二支撑结构中的各个相邻的第二支撑结构的相邻的第四延伸部分在所述第三方向上面对所述第一延伸部分。