[发明专利]磁增强型等离子体桥电子源有效
| 申请号： | 202111077185.2 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113993261B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王亚楠;任林渊;丁卫东;孙安邦 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H05H1/10 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁增强型等离子体桥电子源，磁增强型等离子体桥电子源中，磁性底座包括通孔和连通通孔的凹陷部；阴极座贯穿通孔且延伸出凹陷部；钨丝位于一侧的两端分别连接阴极电源的正负极，另一侧通过阴极座朝远离阴极座方向延伸，下磁环位于凹陷部且吸附在磁性底座上；气体分配器安装在磁性底座上且覆盖下磁环；阳极安装在气体分配器的上方；阳极极靴安装在阳极远离钨丝的一侧；绝缘座安装在阳极极靴的上部；孔板支承在绝缘座上，孔板、阳极和气体分配器构成容纳钨丝的空腔；上磁环吸附在阳极极靴的内表面以环绕空腔，上磁环与中磁环轴向间隔预定距离；放电电源正极连接阳极，负极连接阴极电源的正极；偏置电源正极接地，负极连接阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 等离子体 电子 | ||
【主权项】：
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