[发明专利]DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质在审
| 申请号： | 202111076619.7 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113835016A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李创锋 | 申请（专利权）人： | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 蒋学超 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质，涉及半导体测试领域。方法包括对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，兼容性测试包括电压测试和时序测试；对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；根据兼容性测试结果、环境适用性测试结果、模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。本发明能对DDR芯片的质量和可靠性进行全面测试，能补全对DDR本身性能的检测，使得用户能够得到DDR在不同极限情况下的数据，从而能够更加全面评估DDR的性能。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 芯片 极限 性能 测试 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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