[发明专利]DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质

说明书

本发明公开一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质，涉及半导体测试领域。方法包括对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，兼容性测试包括电压测试和时序测试；对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；根据兼容性测试结果、环境适用性测试结果、模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。本发明能对DDR芯片的质量和可靠性进行全面测试，能补全对DDR本身性能的检测，使得用户能够得到DDR在不同极限情况下的数据，从而能够更加全面评估DDR的性能。

技术领域

本发明涉及半导体测试领域，尤其涉及一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质。

背景技术

随着互联网和半导体芯片制造业的飞速发展，IC产品质量和可靠性问题日益提上日程，成为较多半导体芯片制造商竟相研究的课题之一。

传统的抽样检查、可靠性寿命试验、现场采集数据分析等检测方法已经不能满足IC品质鉴别的需求。因此，急需找到一种新的测试方法，对IC芯片的质量和可靠性进行预测和评估，将有问题的IC剔除，防止不良品进入市场及后续一系列不良反应。

出厂前的测试是进入市场的最后一道防线，只有坚守最后一道防线，才能达到实现保证高品质、高质量、高水准的芯片进入到市场。一颗芯片，由晶圆到最后的成品芯片，若用简单的话说，芯片的制造过程依次包括晶棒(硅锭)制造，硅晶圆片生产，晶圆涂膜，晶圆显影和蚀刻，晶圆掺杂，晶圆针测，晶圆切割，晶粒封装，芯片测试等步骤。而最后的芯片就是最后一道防线，在前面的过程中，可能由于极小的乃至于微米纳米的误差导致出现异常，而这些异常不经过芯片测试，是我们无法识别的，因此最后的芯片测试就非常重要了，但是常规的测试方式只是通过对DDR芯片本身发送激励信号，通过一系列读写操作及向量操作，来得到一个终端信号，用预期的值与终端信号相匹配，匹配上即位测试成功，匹配不上即位测试失败，虽然大大增加了检测力度，但是，对于DDR芯片本身的性能来说，还是没有达到真正检测的意义，因此，本发明是一种新型的检测方法，进而补全对DDR本身性能的检测，达到对DDR在不同情况下极限的掌控，真正了解掌控芯片所能发挥的最强性能。

发明内容

本发明提供了一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质，以解决传统的抽样检查、可靠性寿命试验、现场采集数据分析等检测方法不能满足IC品质鉴别的需求问题。

第一方面，本发明提供了一种DDR芯片极限性能测试方法，所述方法包括：

对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，所述兼容性测试包括电压测试和时序测试；

对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，所述环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；

对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，所述模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；

根据所述兼容性测试结果、所述环境适用性测试结果、所述模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。

第二方面，本发明提供一种监测装置，所述监测装置包括用于执行如第一方面任一项实施例所述的DDR芯片极限性能测试方法的单元。

第三方面，本发明提供一种上位机，所述上位机包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，执行如第一方面任一项实施例所述的DDR芯片极限性能测试方法。