[发明专利]复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件在审

专利信息
申请号: 202111076072.0 申请日: 2021-09-14
公开(公告)号: CN113745173A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 张斌;马捷;于洋 申请(专利权)人: 济南市半导体元件实验所
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L29/861;H01L21/56;H01L21/329
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 张庆骞
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于光阻GPP芯片技术领域,提供了一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件。其中,该芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜,所述低温氧化膜上设有氧化铝膜,所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。其在传统光阻GPP芯片钝化层设计的基础上,在玻璃表面增加Al2O3膜,在Sipos膜表面增加氮化硅膜,有这两层钝化层的保护,可完全避免可动离子移动到硅表面,加上Sipos膜对可动离子电场的中和作用,可确保产品高温反偏通过150℃/80%反压/1000小时的考核。
搜索关键词: 复合 钝化 膜结构 gpp 芯片 制备 方法 电子器件
【主权项】:
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