[发明专利]复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件在审
| 申请号： | 202111076072.0 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113745173A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张斌;马捷;于洋 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/861;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张庆骞 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 钝化 膜结构 gpp 芯片 制备 方法 电子器件 | ||
1.一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片，包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜，其特征在于，所述低温氧化膜上设有氧化铝膜，所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。
2.如权利要求1所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片，其特征在于，所述氧化铝膜的厚度为0.05μm-0.15μm。
3.如权利要求1所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为0.2μm-0.4μm。
4.一种如权利要求1-3中任一项所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在生长氧化层的扩散片上涂覆光刻胶；
在露出待蚀刻的区域上进行一次光刻沟槽，形成具有沟槽的硅片；
在具有沟槽的硅片上依次沉积半绝缘掺氧多晶硅膜和氮化硅膜；
在氮化硅膜上进行二次光刻涂覆玻璃光阻剂，烧结形成玻璃保护层；
在玻璃保护层上依次沉积低温氧化膜和氧化铝膜并形成晶片，对晶片的正面进行三次光刻露出焊接区域；
分别在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀金属；
将镀金属后的晶片背面进行划片处理，得到光阻GPP芯片。
5.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，所述扩散片依次通过硼磷扩散、喷砂和清洗工艺获得。
6.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，通过光刻工艺在生长氧化层的扩散片上涂覆负性光刻胶。
7.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，使用混酸对待蚀刻的区域进行开沟腐蚀，形成具有沟槽的硅片。
8.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，使用LPCVD沉积半绝缘掺氧多晶硅膜，使用磁控溅射沉积一层氧化铝膜。
9.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀的金属为镍与金。
10.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的复合钝化膜结构的光阻GPP芯片。
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