[发明专利]一种低翘曲半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111076011.4 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113783102A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 赵武;刘恒;王俊;谷飞;苗霈 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州高新区昆仑山路189*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低翘曲半导体激光器及其制备方法，包括衬底、设置于衬底一侧的外延结构层和设置于所述衬底远离所述外延结构层的一侧表面的防翘曲层。位于所述外延结构层的一侧表面的防翘曲层使衬底内部产生第二内应力，所述第二内应力能够平衡外延结构层形成后衬底内部产生的第一内应力，从而降低所述衬底的翘曲程度，增大了在转移、测试和切割过程中衬底的各个位置受力的均匀程度，进而降低了破片率，提高了半导体激光器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低翘曲 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，未经苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111076011.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
