[发明专利]一种低翘曲半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111076011.4 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113783102A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 赵武;刘恒;王俊;谷飞;苗霈 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州高新区昆仑山路189*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低翘曲 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种低翘曲半导体激光器，其特征在于，包括：
衬底；
设置于衬底一侧的外延结构层；
设置于所述衬底远离所述外延结构层的一侧表面的防翘曲层。
2.根据权利要求1所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，所述防翘曲层的材料为Ti/W合金，所述Ti/W合金中Ti元素的质量百分比为5％-20％，其余为W元素。
3.根据权利要求1所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，所述防翘曲层的材料为Ni/W合金，所述Ni/W合金中Ni元素的质量百分比为5％-20％，其余为W元素。
4.根据权利要求2或3所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，所述防翘曲层的厚度为30nm-450nm。
5.根据权利要求1所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，所述防翘曲层包括相互接触的钛层和钨层，且所述钛层位于所述衬底与所述钨层之间；所述钛层的厚度为15nm-100nm，所述钨层的厚度为30nm-450nm。
6.根据权利要求1所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，所述防翘曲层包括相互接触的镍层和钨层，且所述镍层位于所述衬底与所述钨层之间；所述镍层的厚度为15nm-100nm，所述钨层的厚度为30nm-450nm。
7.根据权利要求1所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，所述衬底的厚度为80μm-180μm。
8.根据权利要求1所述的低翘曲半导体激光器，其特征在于，还包括：设置于所述防翘曲层远离所述衬底的一侧表面的第一电极。
9.一种低翘曲半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括：
提供初始衬底；
在所述初始衬底的一侧表面形成外延结构层；
形成所述外延结构层之后，对所述初始衬底进行减薄，得到衬底；
在所述衬底远离所述外延结构层的一侧表面形成防翘曲层。
10.根据权利要求9所述的低翘曲半导体激光器的制备方法，其特征在于，还包括：
形成所述防翘曲层之后，在所述防翘曲层远离所述衬底的一侧表面形成第一电极。
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