[发明专利]一种太阳能电池的硼扩散方法及其制造方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池的硼扩散方法及其制造方法，所述硼扩散方法包括如下步骤：（1）将硅片置于扩散炉中进行源沉积；（2）对硅片进行退火；（3）重复步骤（1）至步骤（2）n次以在硅片表面沉积BSG；（4）在硅片表面印刷掩膜；（5）清洗去除硅片表面未被掩膜覆盖区域的BSG；（6）清洗去除硅片表面的掩膜并水洗烘干；（7）将硅片再次置于扩散炉中进行高温扩散推进，获得符合掺杂浓度的硼选择性发射结。本发明采用多个源沉积和退火步骤在硅片表面沉积BSG，增强了B原子和Si原子的成键，大大降低了BSG中B2O3溶解于清洗液和水的程度，实现了重掺杂区的浓度要求，最终达到硼选择性发射结的效果。