[发明专利]一种太阳能电池的硼扩散方法及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的硼扩散方法，用于在硅片表面制备硼选择性发射结，其特征在于，依次包括如下步骤：

（1）源沉积：将硅片置于扩散炉中，通入一定量的氧气和携带硼源的氮气进行源沉积，在硅片表面沉积一层硼源；

（2）退火：扩散炉中停止通入氧气和携带硼源的氮气，对硅片进行退火；

（3）重复步骤（1）至步骤（2）n次以在硅片表面沉积BSG，其中n≥2；

（4）在硅片表面印刷掩膜；

（5）清洗去除硅片表面未被掩膜覆盖区域的BSG；

（6）清洗去除硅片表面的掩膜并水洗烘干；

（7）将硅片再次置于扩散炉中进行高温扩散推进，获得符合掺杂浓度的硼选择性发射结。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（1）中，源沉积过程中氧气流量为50~500sccm，携带硼源的氮气流量为40~600sccm。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（1）中，源沉积的温度为800~900℃，时间为60~300s。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（2）中，退火的温度为820~920℃，时间为180~420s。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（3）中，所述BSG包括SiO₂和B₂O₃，所述B₂O₃中的B原子与所述SiO₂中的Si原子重新成键。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（4）中，所述掩膜为石蜡或有机树脂。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（7）中，高温扩散推进的温度为900~1050℃，时间为1800~7200s。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的硼扩散方法，其特征在于，步骤（1）中，源沉积之前还包括在温度700~800℃下对硅片进行5~20min的氧化处理以在硅片表面形成氧化层。

9.一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括对硅片的表面进行硼扩散的步骤，其中，对所述硅片的表面进行硼扩散的步骤采用如权利要求1-8中任一项所述的硼扩散方法。