[发明专利]太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 202111074338.8 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113540293B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 于琨;刘长明;张昕宇 | 申请（专利权）人： | 晶科能源（海宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 范旋锋 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，第一温度低于第二温度；调整炉内气压为第一预定气压，沿炉口向反应炉内通入硅源及氧源；调整炉内气压至第二预定气压，开启等离子源，激发氧源变为氧等离子体，激发硅源变为硅等离子体，氧等离子体与硅等离子体反应后沉积于硅片上；向反应炉内通入惰性气体。本申请提供的太阳能电池的制备方法，通过提升隧穿氧化层的均匀性，可提升整体电池效率，进而提高发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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