[发明专利]太阳能电池的制备方法

说明书

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，第一温度低于第二温度；调整炉内气压为第一预定气压，沿炉口向反应炉内通入硅源及氧源；调整炉内气压至第二预定气压，开启等离子源，激发氧源变为氧等离子体，激发硅源变为硅等离子体，氧等离子体与硅等离子体反应后沉积于硅片上；向反应炉内通入惰性气体。本申请提供的太阳能电池的制备方法，通过提升隧穿氧化层的均匀性，可提升整体电池效率，进而提高发电效率。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。

背景技术

太阳能组件是指利用光伏半导体材料的光生伏打效应而将太阳能转化为直流电能的发电设备，太阳能组件的核心是太阳能电池。

现有背面钝化接触技术中的TOPCon(隧穿氧化层钝化接触 Tunnel OxidePassivated Contact)太阳能电池仍有进步的空间，效率可以进一步提升。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，在批量制造中提升电池效率。

本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度；

调整炉内气压为第一预定气压，沿所述炉口向所述反应炉内通入硅源及氧源；

调整炉内气压至第二预定气压，开启等离子源，激发所述氧源变为氧等离子体，激发所述硅源变为硅等离子体，所述氧等离子体与所述硅等离子体反应后沉积于所述硅片上；

向所述反应炉内通入惰性气体。

采用上述技术方案后，有益效果是：提高了隧穿氧化层的均匀性，进而提高了太阳能电池的转换效率，提升了电池效率的集中度。

在一种可能的设计中，所述反应炉还包括炉尾，所述炉尾的温度为第三温度；

所述第三温度大于所述第二温度；或，所述第三温度等于所述第二温度。

在一种可能的设计中，所述反应炉还包括炉尾，沿所述炉口到所述炉尾的方向，所述反应炉内的温度逐渐升高。

在一种可能的设计中，所述炉口的温度与所述炉尾的温度的差值在5℃~15℃之间，且沿所述炉口到所述炉尾的方向，所述反应炉内的温度均匀升高。

在一种可能的设计中，所述第二温度为170℃-230℃。

在一种可能的设计中，在将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度后，重复其余步骤，使得所述硅等离子体及所述氧等离子体多次沉积于所述硅片上。

在一种可能的设计中，所述第一预定气压为10Pa-100Pa；和/或，

第二预定气压为30Pa-120Pa。

在一种可能的设计中，所述硅源为三（二甲氨基）硅烷、四乙氧基硅烷或正硅酸乙脂中的至少一种；和/或，所述氧源为臭氧、氧气中的至少一种。

在一种可能的设计中，在将硅片放置于反应炉内前，对所述硅片进行碱抛光处理。

在一种可能的设计中，所述硅片经过碱抛光处理后的反射率为50%-55%。

本申请实施例的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请实施例的目的和其他优点在说明书以及附图所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明