[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202111068522.1 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113948455A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;颜元;张豪;朱文琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体结构的制造方法。其中，所述方法包括：提供基底结构；所述基底结构包含第一开口；在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；所述第一介质层的厚度随着所述第一开口深度的增加而减小；对所述第一介质层进行离子注入，部分所述第一介质层形成掺杂层；对所述掺杂层进行刻蚀，去除部分所述掺杂层，得到第二厚度的第一介质层，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，在刻蚀的过程中，刻蚀源对所述掺杂层刻蚀的量随着所述第一开口深度的增加而减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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