[发明专利]多凸块封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111065500.X 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN113506785B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 何正鸿;徐玉鹏;钟磊;李利 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 梁晓婷
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的实施例提供了一种多凸块封装结构及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,该多凸块封装结构,包括晶圆基底、保护层、第一线路层、第一导电凸起、第一介电层、第二线路层和第二导电凸起,由于采用了不同的线路层实现了第一导电凸起和第二导电凸起的连接,应力承受范围更大,使得第一导电凸起和第二导电凸起受力时底部的UBM层不易脱落,大大地改善传统封装结构中的金属凸块可靠性,并避免了隐裂问题。同时,本发明采用多线路层排布,能够使得第一导电凸起和第二导电凸起相对可以靠的更近,进而使得金属凸块更加密集,有利于产品的小型化,也提升了产品的性能。
搜索关键词: 多凸块 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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