[发明专利]多凸块封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多凸块封装结构，其特征在于，包括：

在一侧表面设置有金属焊垫的晶圆基底；

设置在所述晶圆基底一侧的保护层，所述保护层上设置有焊垫开口，所述焊垫开口与所述金属焊垫对应，并贯通至所述金属焊垫的表面；

设置在所述保护层远离所述晶圆基底一侧的第一线路层，所述第一线路层延伸至所述焊垫开口并与所述金属焊垫连接；

设置在所述第一线路层远离所述晶圆基底一侧，并与所述第一线路层电连接的第一导电凸起；

设置在所述第一线路层远离所述晶圆基底一侧的第一介电层；

设置在所述第一介电层远离所述晶圆基底一侧的第二线路层；

设置在所述第二线路层远离所述晶圆基底一侧，并与所述第二线路层电连接的第二导电凸起；

其中，所述第二线路层延伸至所述第一导电凸起，并与所述第一导电凸起电连接；

所述第一介电层远离所述晶圆基底一侧还设置有第三介电层，所述第三介电层覆盖在所述第二线路层上，并包覆在所述第一导电凸起和所述第二导电凸起的周围，所述第三介电层上设置有与所述第一导电凸起对应的第一容胶开口以及与所述第二导电凸起对应的第二容胶开口；

所述第三介电层远离所述晶圆基底的一侧设置有导电膜，所述导电膜远离所述晶圆基底的一侧设置有第四介电层，所述导电膜延伸至所述第一容胶开口和所述第二容胶开口，用于在所述第四介电层与所述第三介电层的挤压下溢出至所述第一容胶开口和所述第二容胶开口。

2.根据权利要求1所述的多凸块封装结构，其特征在于，所述保护层上还设置有第二介电层，所述第二介电层延伸至所述焊垫开口，并使得所述金属焊垫外露于所述第二介电层，所述第一线路层设置在所述第二介电层上，并沿着所述第二介电层延伸至所述焊垫开口。

3.根据权利要求1所述的多凸块封装结构，其特征在于，所述第三介电层远离所述晶圆基底的一侧还设置有天线层，所述天线层嵌设在所述第四介电层中，并与所述第一导电凸起和/或所述第二导电凸起电连接。

4.根据权利要求3所述的多凸块封装结构，其特征在于，所述天线层延伸至所述第二容胶开口，所述第二容胶开口内还填充有导电胶，以使所述天线层与所述第二导电凸起电连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的多凸块封装结构，其特征在于，所述第一线路层上设置有第一金属盘，所述第一金属盘位于所述第一导电凸起的底部，且所述第二线路层覆盖在所述第一金属盘上，所述第一导电凸起设置在所述第二线路层上，以使所述第一金属盘、所述第一导电凸起和所述第二线路层电连接为一体。

6.根据权利要求5所述的多凸块封装结构，其特征在于，所述第二线路层上设置有第二金属盘，所述第二金属盘位于所述第二导电凸起的底部，所述第二导电凸起通过所述第二金属盘与所述第二线路层电连接，且所述第二导电凸起相对于所述晶圆基底的高度与所述第一导电凸起相对于所述晶圆基底的高度相同。

7.根据权利要求1-4任一项所述的多凸块封装结构，其特征在于，所述第二线路层位于所述第一线路层远离所述晶圆基底的一侧，且所述第二导电凸起在所述晶圆基底上的投影位于所述金属焊垫与所述第一导电凸起在所述晶圆基底上的投影之间。

8.一种多凸块封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-7任一项所述的多凸块封装结构，所述方法包括：

提供在一侧表面设置有金属焊垫的晶圆基底；

在所述晶圆基底的一侧形成保护层，所述保护层上设置有焊垫开口，所述焊垫开口与所述金属焊垫对应，并贯通至所述金属焊垫的表面；

在所述保护层远离所述晶圆基底的一侧形成第一线路层，所述第一线路层延伸至所述焊垫开口并与所述金属焊垫连接；

在所述第一线路层远离所述晶圆基底的一侧形成第一介电层；

在所述第一介电层远离所述晶圆基底的一侧形成第二线路层；

在所述第一线路层远离所述晶圆基底的一侧设置第一导电凸起，所述第一导电凸起与所述第一线路层电连接；

在所述第二线路层远离所述晶圆基底的一侧形成第二导电凸起，所述第二导电凸起与所述第二线路层电连接；

其中，所述第二线路层延伸至所述第一导电凸起，并与所述第一导电凸起电连接。