[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片在审
| 申请号： | 202111060296.2 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113764556A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡武;康建;陈向东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片。本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层，包括低温氮化镓层和设置在所述低温氮化镓层表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层和至少一层氮化铝层，所述氮化硅层和氮化铝层间隔层叠设置，所述氮化硅层和氮化铝层的层数相同。本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层能够有效形成高阻隔绝，阻挡电子向高缺陷密度的非掺层泄露，不仅能够提升了电子注入效率，且减小漏电，提升抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 复合 阻挡 | ||
【主权项】：
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