[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层，其特征在于，包括低温氮化镓层(41)和设置在所述低温氮化镓层(41)表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层(42)和至少一层氮化铝层(43)，所述氮化硅层(42)和氮化铝层(43)间隔层叠设置，所述氮化硅层(42)和氮化铝层(43)的层数相同。

2.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述氮化硅层(42)的层数为2～10层。

3.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所有氮化硅层(42)的总厚度为0.5～5nm；所有氮化铝层(43)的总厚度为0.5～5nm。

4.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述低温氮化镓层(41)的厚度为50～500nm。

5.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述复合N型阻挡层(40)的表面具有锥形坑结构。

6.根据权利要求5所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述复合N型阻挡层(40)表面的锥形坑的密度为2×e⁸～5×e⁸个/cm²。

7.根据权利要求5或6所述的复合N型阻挡层，其特征在于，单个锥形坑的深度独立为50～500nnm，单个锥形坑的底面直径独立为50～500nm。

8.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(10)和依次层叠设置在所述衬底(10)表面的缓冲层(20)、非掺层(30)、权利要求1所述的复合N型阻挡层(40)、N型导电层(50)、应力释放层(60)、有源层(70)、P型阻挡层(80)、P型导电层(90)和金属接触层(100)；所述非掺层(30)表面与所述复合N型阻挡层(40)中的低温氮化镓层(41)接触。

9.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(10)和依次层叠设置在所述衬底(10)表面的缓冲层(20)、第一非掺层(301)、权利要求1所述的复合N型阻挡层(40)、第二非掺层(302)、N型导电层(50)、应力释放层(60)、有源层(70)、P型阻挡层(80)、P型导电层(90)和金属接触层(100)，所述第一非掺层(301)表面与所述复合N型阻挡层(40)中的所述低温氮化镓层(41)接触。

10.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(10)和依次层叠设置在所述衬底(10)表面的缓冲层(20)、非掺层(30)、第一N型导电层(501)、权利要求1所述的复合N型阻挡层(40)、第二N型导电层(502)、应力释放层(60)、有源层(70)、P型阻挡层(80)、P型导电层(90)和金属接触层(100)，所述第一N型导电层(501)表面与所述的复合N型阻挡层(40)中的所述低温氮化镓层(41)接触。