[发明专利]神经元核控制方法及设备、处理芯片在审
申请号: | 202111057518.5 | 申请日: | 2021-09-09 |
公开(公告)号: | CN113850369A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 陈克林;吕正祥;杨力邝;袁抗;朱文俊;陈旭 | 申请(专利权)人: | 上海新氦类脑智能科技有限公司 |
主分类号: | G06N3/04 | 分类号: | G06N3/04;G06N3/063 |
代理公司: | 上海上谷知识产权代理有限公司 31342 | 代理人: | 蔡继清 |
地址: | 200090 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种神经元核控制方法及设备、处理芯片,涉及控制技术领域。神经元核控制方法包括:将脉冲神经网络的多层分别映射到处理芯片的神经元核中;对于每个神经元核,基于神经元核被映射的脉冲神经网络的层的层数,设置神经元核的局部延迟参数;各神经元核的局部延迟参数基于被映射的脉冲神经网络的层的层数依次增大;对于每个神经元核,神经元核根据获取的控制信号、全局同步信号以及神经元核的局部延迟参数,控制启动对接收到的输入脉冲信号的处理。本发明中,在对处理芯片中神经元核的启动顺序进行控制时,通过为各神经元核设置局部延迟参数来控制映射脉冲神经网络不同层的神经元核的启动顺序,规整性和扩展性较好。 | ||
搜索关键词: | 神经元 控制 方法 设备 处理 芯片 | ||
【主权项】:
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