[发明专利]金属互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111052088.8 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115775729A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 朱文明;张文文;高箐遥;黄仁瑞;方勇智;刘群 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，增厚覆盖在介质层表面上的第一缓冲层的厚度，从而避免了由于第一缓冲层厚度较薄，导致金属层对介质层等介质刻蚀选择比低，从而在分步刻蚀第二缓冲层、金属层和第一缓冲层的过程中，由于前一刻蚀过程中存在过刻蚀的问题，导致待执行第一缓冲层的刻蚀工艺时，第一缓冲层的厚度太薄，而发生过刻蚀位于其下的介质层的问题，从而使剩余的介质层厚度不达标，进而降低了半导体器件的性能和产品市场竞争力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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