[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202111039932.3 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115775778A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 寗树梁;何军;刘杰;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/18;H10B80/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及一种半导体结构。包括：第一晶圆，第一晶圆内具有若干第一芯片；第二晶圆，第二晶圆内具有若干第二芯片，第二晶圆的第一面与第一晶圆的第一面连接，且第二芯片与第一芯片电连接；散热装置，散热装置内设有散热管路；散热装置与第二晶圆的第二面相接触，第二晶圆的第二面与第二晶圆的第一面相对设置。通过散热管路可以将第一芯片和第二芯片工作过程中产生的热量散发出去，降低半导体结构的整体温度，提高半导体结构的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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