[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆内具有若干第一芯片；

第二晶圆，所述第二晶圆内具有若干第二芯片，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第一面连接，且所述第二芯片与所述第一芯片电连接；

散热装置，所述散热装置内设有散热管路；所述散热装置与所述第二晶圆的第二面相接触，所述第二晶圆的第二面与所述第二晶圆的第一面相对设置。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一硅通孔，所述第一硅通孔位于所述第一晶圆内，所述第一硅通孔的一端与所述第一芯片电连接，所述第一硅通孔的另一端延伸至所述第一晶圆的第二面，所述第一晶圆的第二面与所述第一晶圆的第一面相对设置；

连接器件，所述连接器件位于所述第一晶圆的第二面，且与至少一所述第一硅通孔相接触。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第二硅通孔，所述第二硅通孔沿所述第一晶圆与所述第二晶圆叠置的方向贯穿所述第一晶圆及所述第二晶圆，并与所述散热装置的表面相接触。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述连接器件的数量不小于2，所述连接器件散发的热量与相邻所述第二硅通孔的数量成正比。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

导热装置，分别与所述第一晶圆和所述第二晶圆的侧壁相接触，用于将热量自所述第一晶圆传导至所述第二晶圆。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述散热管路在所述第二晶圆上的正投影环绕各所述第二芯片。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述散热装置与所述第二晶圆相接触的表面设有与所述散热管路间隔设置的若干真空吸附孔，所述散热装置通过所述真空吸附孔与所述第二晶圆的第二面吸附接触。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述散热管路环绕所述真空吸附孔设置。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片包括逻辑芯片且所述第二芯片包括存储芯片，或所述第一芯片包括存储芯片且所述第二芯片包括逻辑芯片。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片的功能面位于所述第一晶圆的第一面，所述第二芯片的功能面位于所述第二晶圆的第一面。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片的功能面位于所述第一晶圆的第二面，所述第二芯片的功能面位于所述第二晶圆的第一面。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第一面采用导电凸块键合工艺或熔融键合工艺键合在一起。

13.根据权利要求1-12任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述散热装置与所述第二晶圆相接触的表面设有凹槽，所述散热管路位于所述凹槽内，且所述散热管道与所述第二晶圆的第二面相接触。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述散热管路中具有冷却液，所述散热管路的一端为所述冷却液的输入端，所述散热管路的另一端为所述冷却液的输出端。

15.根据权利要求1-12任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述散热装置包括金属板，所述第二晶圆在所述散热装置上的正投影位于所述散热装置的中心区域。