[发明专利]半导体真空二极管温度传感器在审
| 申请号： | 202111029625.7 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113884203A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 沈志华;葛滨;李巧宁;王海峰;廖忠智 | 申请（专利权）人： | 南通职业大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体真空二极管温度传感器，具有两个半径不同的真空沟道半导体二极管D1、D2，另有两个相同的晶体管T1、T2提供相同电流的电流源；T1、T2的基极相连，T1、T2的发射极相连，T1的集电极与D1的正极相连，T2的集电极与D2的正极相连；D1与D2的负极相连并接地，D1与D2的正极分别依次连接电压跟随单元、电压反向单元、电压均方根单元；两个电压均方根单元之间采用电阻R4连接，其两端电压Uout。本发明的二极管感测的环境温度T与Uout成正比例关系，而且测量或计算精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 真空 二极管 温度传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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