[发明专利]半导体真空二极管温度传感器

权利要求书

1.一种半导体真空二极管温度传感器，具有两个半径不同的真空沟道半导体二极管D1、D2，二极管施加低压其特征在于：

另有两个相同的晶体管T1、T2提供相同电流的电流源；T1、T2的基极相连，T1、T2的发射极相连；T1的集电极与D1的正极相连，其电位为U0；T2的集电极与D2的正极相连，其电位为U1；D1的负极与D2的负极相连并接地；

T1的集电极同时与电压跟随器1中的正极相连，作为输入端1；T2的集电极同时与电压跟随器2中的正极相连，作为输入端2；电压跟随器1通过电阻R4连接电压跟随器2；

通过数学推导，获知：

其中，β是与阴极材料和几何尺寸相关的常数，T是真空二极管的温度，ρ是D1和D2真空沟道半径比。

2.根据权利要求1所述的半导体真空二极管温度传感器，其特征在于：

在电压跟随单元1之后连接电压反向单元1，再与电压均方根单元1连接；在电压跟随单元2之后连接电压反向单元2，再与电压均方根单元2连接；电压均方根单元1通过电阻R4与电压均方根单元2相连；

通过数学推导，电阻R4的电压Uout与T具有下列关系：

其中K是玻尔兹曼常数，R2和R3是电压均方根单元中的两个匹配电阻。

3.根据权利要求1所述的半导体真空二极管温度传感器，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的半导体真空二极管温度传感器，其特征在于：