[发明专利]一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法在审
| 申请号： | 202111026677.9 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114038732A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘国军;徐东昕;李再金;陈浩;赵志斌;曾丽娜;乔忠良;李林;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 郑州知倍通知识产权代理事务所(普通合伙) 41191 | 代理人： | 李玲玲 |
| 地址： | 571158 海*** | 国省代码： | 海南;46 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法。在GaAs衬底上，生长在GaSb，明亮的AlSb垒层及夹于其间的InAs/GaSb量子阱清晰可见、各材料层间界面突变明显、结构中没有缺陷和位错出现，表明了极高的材料结构质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 界面 失配 阵列 技术 gaas 衬底 生长 gasb 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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