[发明专利]一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法

权利要求书

1.一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法，其特征在于：

本发明采用界面失配阵列技术，提供一种在GaAs衬底上生长GaSb的方法，首先将GaAs衬底置于进样仓，在热偶温度150℃下低温除气不少于10小时，然后传入预备仓中在热偶温度450℃下除气直到预备仓压力低于5x10^-9mabr；之后，将衬底传入生长仓，在As过压保护下升温至630℃并保持15分钟；将衬底温度降低并稳定在575℃，打开Ga快门在富As的(2x4)表面再构下生长500纳米厚的GaAs缓冲层以确保接下来的GaSb层外延质量；GaAs缓冲层生长结束后，同时关闭Ga和As快门并保持衬底加热器热偶温度不变，衬底温度立即降回到了575℃左右，对GaAs表面采用Sb束流进行5秒辐照以将之转化为富Sb表面；在高Sb原子通量条件下生长获得(3x1)富Sb的AlSb外延层；然后通过保持Sb快门打开，关掉Al快门，停止AlSb生长；在保持衬底温度和Al通量固定的条件下，分步减小Sb原子通量；在每次Sb原子通量值减小并稳定后，打开Al快门，同时观察AlSb表面再构变化情况；当Sb原子通量刚刚不足时，AlSb外延层(3x1)富Sb的表面再构会慢慢转表为(4x 2)的富Al表面再构，保持AlSb层的稳定生长。