[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111020901.3 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113921588A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 项永金;王少辉;李帅;陈明轩;戴银燕 | 申请（专利权）人： | 格力电器（合肥）有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 霍玉娟;陈超德 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括位于所述衬底上方的第一导电类型外延层；位于所述外延层上方的第二导电类型掺杂层；其中，所述掺杂层包括有源区，所述掺杂层设置有至少一个围设于所述有源区外围的沟槽，所述沟槽至少向下延伸至所述外延层；覆盖所述沟槽的侧壁和部分底部并延伸至所述掺杂层上方的第一钝化层；覆盖所述第一钝化层的第二钝化层；其中，所述第二钝化层的介电常数大于所述第一钝化层的介电常数；设置于所述有源区上方的第一金属层；其中，所述第一金属层沿远离所述有源区的方向延伸至所述第二钝化层上方。可以大大提高半导体器件的耐压水平及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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