[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111020901.3 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113921588A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 项永金;王少辉;李帅;陈明轩;戴银燕 | 申请（专利权）人： | 格力电器（合肥）有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 霍玉娟;陈超德 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一导电类型衬底；
位于所述衬底上方的第一导电类型外延层；
位于所述外延层上方的第二导电类型掺杂层；其中，所述掺杂层包括有源区，所述掺杂层设置有至少一个围设于所述有源区外围的沟槽，所述沟槽至少向下延伸至所述外延层；
覆盖所述沟槽的侧壁和部分底部并延伸至所述掺杂层上方的第一钝化层；
覆盖所述第一钝化层的第二钝化层；其中，所述第二钝化层的介电常数大于所述第一钝化层的介电常数；
设置于所述有源区上方的第一金属层；其中，所述第一金属层沿远离所述有源区的方向延伸至所述第二钝化层上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层在所述衬底上的正投影与所述第二钝化层在所述衬底上的正投影部分重合；
其中，所述第一金属层在所述衬底上的正投影与所述第二钝化层在所述衬底上的正投影的重合部分的径向宽度被选择成能够阻挡外部杂质原子。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层在所述衬底上的正投影与所述第二钝化层在所述衬底上的正投影的重合部分的径向宽度为40至45um。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的数量大于等于2。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽向下延伸至所述衬底内。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度为100至120um，所述沟槽的宽度为440至450um。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
位于所述衬底下方的第二金属层。
9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一导电类型衬底；
在所述衬底上方形成第一导电类型外延层；
在所述外延层上方形成第二导电类型掺杂层；其中，所述掺杂层包括有源区；
在所述掺杂层上形成至少一个围设于所述有源区外围的沟槽，所述沟槽至少向下延伸至所述外延层；
形成覆盖于所述沟槽的侧壁和部分底部并延伸至所述掺杂层上方的第一钝化层；
形成覆盖于所述第一钝化层的第二钝化层；其中，所述第二钝化层的介电常数大于所述第一钝化层的介电常数；
在所述有源区上方形成第一金属层；其中，所述第一金属层沿远离所述有源区的方向延伸至所述第二钝化层上方。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述有源区上方形成第一金属层的步骤之前，还包括：
在所述衬底下方形成第二金属层。
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