[发明专利]一种在顶颞区三维均匀分布的脑电极阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 202111012542.7 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113662552B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓洋;方涛;宋左婷;穆伟;展格格;汪鹏超;王君孔帅 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | A61B5/256 | 分类号： | A61B5/256;A61B5/291 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在顶颞区三维均匀分布的脑电极阵列及其制备方法。其中所述的在顶颞头皮表面三维均匀分布是指脑电极阵列中相邻脑电极三维空间上的距离相等，在脑电极阵列覆盖的头皮范围内所有的脑电极是均匀分布的。其中所述的二维高密度脑电极阵列是指本发明的脑电极阵列是通过二维平面的微纳加工方法制作的，这些以特定坐标排列的二维脑电极佩戴到三维的头部时，则会三维变形在头皮表面实现脑电极的均匀分布。本发明形成的二维高密度脑电极阵列，在二维平面不是均匀分布，只有佩戴在顶颞头皮表面才会均匀分布，以均匀的距离对运动想象脑区的脑电信号进行记录，以便实现脑电信号记录均匀的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顶颞区 三维 均匀分布 电极 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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