[发明专利]一种在顶颞区三维均匀分布的脑电极阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种在顶颞区头皮表面三维均匀分布的高密度脑电极阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）基于三维坐标到二维的投影展开方法，获得脑电极阵列佩戴在顶颞区时头皮表面三维均匀分布的二维脑电极的特定坐标排列；所述在顶颞区头皮表面三维均匀分布是指脑电极阵列中相邻脑电极三维空间上的距离相等；

（2）通过二维平面的微纳加工方法制作特定坐标排列的二维脑电极阵列；

（3）将制作好的以特定坐标排列的二维脑电极阵列佩戴到三维的头部，得到三维变形在顶颞区头皮表面实现脑电极的三维均匀分布的高密度脑电极阵列；其中：

步骤（1）中，首先通过在Magnetic Resonance Imaging MRI模板头皮表面上排列电极阵列，再通过三维坐标到二维的投影展开方法将三维坐标转化为二维坐标；三维坐标到二维的投影展开方法采用Azimuthal Equidistant Projection AEP方位等距离投影方法；

步骤（2）中，二维高密度脑电极阵列中的脑电极通道数量为64-10240个。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，脑电极佩戴在顶颞区时相邻脑电极在三维空间上的距离为0.1-12毫米。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，二维脑电极阵列是由导电材料与绝缘材料构成的，其中导电材料构成脑电极，用来传输脑电信号；绝缘材料构成脑电极阵列的结构，用来对导电材料进行选择性的绝缘，防止信号串扰；二维高密度脑电极阵列中脑电极的直径为0.02-8毫米。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，二维高密度脑电极阵列的相邻脑电极在二维平面上的距离为0.05-15毫米。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，二维高密度脑电极阵列的厚度为0.01-1毫米；二维脑电极阵列中的单个脑电极周围与其它脑电极是割裂开来的，连接的角度为1-60度。

6.一种根据权利要求1所述的制备方法制得的在顶颞区头皮表面三维均匀分布的高密度脑电极阵列。

7.根据权利要求6所述的高密度脑电极阵列，其特征在于，电极阵列中脑电极的直径为0.02-8毫米；脑电极通道数量为64-10240个；脑电极阵列的相邻脑电极在二维平面上的距离为0.05-15毫米，单个脑电极周围与其它脑电极是割裂开来的，连接的角度为1-60度；相邻脑电极在三维空间上的距离为0.1-12毫米。