[发明专利]一种大电流SiC肖特基功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111007254.2 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113823699A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李鑫 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大电流SiC肖特基功率二极管，包括衬底、隔离层以及外延层；外延层的第一区域中部刻有阴极凹槽，一端刻有倒梯形开口，第二区域以及阴极凹槽表面有N+注入区；阴极凹槽两侧的外延层有两个P+注入区，一个覆盖第一钝化层，另一个部分覆盖第二钝化层，部分覆盖阳极欧姆接触金属层；还包括：阴极欧姆接触金属层，覆盖在N+注入区的正上方且填满阴极凹槽；阳极肖特基金属层，堆叠在第一区域的最上方且堆满倒梯形开口，与阳极欧姆接触金属层和二个P+注入区一起形成PIN结构；阴极欧姆接触金属层和阳极肖特基金属层之间有中间介质。本发明提升了高工作电压下的4H‑SiC肖特基功率二极管的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 sic 肖特基 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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