[发明专利]双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料及其制备方法

摘要

双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料及其制备方法。所述双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的化学式为LiNixCoyMnzO2•mGeO2•nSnO2，其中，0.8≤x1，0y≤0.06，0z≤0.2，x+y+z=1，0m≤0.03，0n≤0.03，GeO2，SnO2为活性氧化物；本发明还包括了该材料的制备方法。本发明采用活性氧化物GeO2，SnO2对低钴三元正极材料进行包裹，使材料具有更好的结构稳定性，减少电解液腐蚀，同时保持较好的导电性；克服了当前低钴正极材料循环性能衰退的缺陷；本发明制备方法操作简便，生产成本低，性能稳定，所得材料的电化学性能有明显的提升。