[发明专利]双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料及其制备方法

权利要求书

1.双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料，其特征在于，化学式为LiNi_xCo_yMn_zO₂•mGeO₂•nSnO₂，其中，0.8≤x1，0y≤0.06，0z≤0.2，x+y+z=1，0m≤0.03，0n≤0.03，GeO₂和SnO₂为活性氧化物。

2.如权利要求1所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

（1）将锗源和锡源均匀分散于有机溶剂中，得分散液A，将低钴三元前驱体Ni_xCo_yMn_z(OH)₂加入到分散液A中，加热搅拌使溶剂蒸发，干燥，得双重金属源吸附的低钴三元正极前驱体Ni_xCo_yMn_z(OH)₂-GeSn；

（2）将过量的锂源与所述双重金属源吸附的低钴三元正极前驱体Ni_xCo_yMn_z(OH)₂-GeSn混合均匀，在纯氧气氛中进行高温处理，即成。

3.根据权利要求2所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述锗源为乙酸锗、硝酸锗、硫酸亚锗中的一种或多种；所述锡源为硫酸锡、硝酸锡、四氯化锡、草酸亚锡的一种或多种；所述有机溶剂为乙醇、乙二醇、异丙醇、丁醇中的一种或多种。

4.根据权利要求2或3所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述加热搅拌的温度为65~95℃；所述加热搅拌的时间为2~6h，所述干燥的温度为100~130℃，所述干燥的时间为8~16h，所述干燥的压强为-0.06~-0.1MPa。

5.根据权利要求2或3所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，锂源的用量为锂元素与低钴三元前驱体Ni_xCo_yMn_z(OH)₂中的金属元素摩尔比Li：（Ni+Co+Mn）=1.02~1.12：1。

6.根据权利要求2或3所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述高温处理为两段煅烧处理，第一段煅烧温度为400~600℃，保温4~7h，第二段煅烧温度为650~950℃，保温8~16h。

7.根据权利要求5所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述高温处理为两段煅烧处理，第一段煅烧温度为400~600℃，保温4~7h，第二段煅烧温度为650~950℃，保温8~16h。

8.根据权利要求2所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，所述低钴三元前驱体Ni_xCo_yMn_z(OH)₂的制备方法包括以下步骤：将镍、钴、锰的可溶性盐与水配置成混合盐溶液，将混合盐溶液与氢氧化钠溶液、氨水一同加入到反应釜中进行共沉淀反应，反应一段时间后，分离出沉淀部分，得低钴三元前驱体Ni_xCo_yMn_z(OH)₂。

9.根据权利要求8所述的双重氧化物包覆修饰的低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，镍的可溶性盐为乙酸镍、硝酸镍、硫酸镍中的一种或两种以上；钴的可溶性盐为乙酸钴、硝酸钴、硫酸钴、碳酸钴中的一种或两种以上；锰的可溶性盐为乙酸锰、硝酸锰、硫酸锰中的一种或两种以上。