[发明专利]电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法在审
申请号: | 202111003527.6 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN113839638A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 轩伟鹏;张标;石林豪;董树荣;金浩;骆季奎;李文钧;孙玲玲 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 周希良 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法,具体如下:在衬底上依次沉积剥离层、压电层、下电极,下电极上沉积内、外环形凸起以及包裹两凸起的下牺牲层,压电层上沉积包裹下牺牲层的下保护层以及包裹下保护层的待键合层二;基底上的待键合层一与待键合层二键合,去除剥离层和衬底;压电层上沉积两长条状上牺牲层,两长条状上牺牲层上沉积两桥型结构,再压电层表面沉积两侧与两个桥型结构分别相连的上电极,上电极和两桥型结构上沉积上保护层;压电层形成通孔,去除两长条状上牺牲层和下牺牲层。本发明在谐振器的下电极表面设置内、外环形凸起,上电极两侧壁均设置桥型结构,使得薄膜体声波谐振器具有更高的Q值。 | ||
搜索关键词: | 电极 设有 环形 结构 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111003527.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种复合材料舱段一体化成型方法
- 下一篇:一种电缆驳接口及其密封方法