[发明专利]电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法在审

专利信息
申请号: 202111003527.6 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113839638A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 轩伟鹏;张标;石林豪;董树荣;金浩;骆季奎;李文钧;孙玲玲 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法,具体如下:在衬底上依次沉积剥离层、压电层、下电极,下电极上沉积内、外环形凸起以及包裹两凸起的下牺牲层,压电层上沉积包裹下牺牲层的下保护层以及包裹下保护层的待键合层二;基底上的待键合层一与待键合层二键合,去除剥离层和衬底;压电层上沉积两长条状上牺牲层,两长条状上牺牲层上沉积两桥型结构,再压电层表面沉积两侧与两个桥型结构分别相连的上电极,上电极和两桥型结构上沉积上保护层;压电层形成通孔,去除两长条状上牺牲层和下牺牲层。本发明在谐振器的下电极表面设置内、外环形凸起,上电极两侧壁均设置桥型结构,使得薄膜体声波谐振器具有更高的Q值。
搜索关键词: 电极 设有 环形 结构 薄膜 声波 谐振器 制备 方法
【主权项】:
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