[发明专利]电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法

权利要求书

1.电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：

S1：对衬底进行超声水洗，在衬底一侧表面沉积剥离层；然后在剥离层上沉积压电层；接着，在压电层表面沉积金属并图形化，形成下电极；最后，在下电极表面沉积金属并图形化，形成内环形凸起和外环形凸起；内环形凸起与外环形凸起间距设置；

S2：对基底进行超声水洗，在基底一侧表面淀积待键合层一，并对待键合层一进行表面平整化；

S3：在下电极表面通过淀积和图形化，形成包裹内环形凸起和外环形凸起的下牺牲层；然后，在压电层表面沉积包裹下牺牲层的下保护层；最后，在压电层表面淀积包裹下保护层的待键合层二，并对待键合层二表面进行平整化；

S4：将基底上的待键合层一与待键合层二通过键合工艺连接；

S5：采用激光剥离技术去除剥离层和衬底，并对压电层表面进行平整化；

S6：在压电层去除剥离层和衬底的那侧表面通过淀积和图形化形成间距设置的两个长条状上牺牲层；然后，通过沉积金属并图形化在两个长条状上牺牲层上形成两个桥型结构；

S7：在压电层表面位于两个长条状上牺牲层之间位置沉积金属并图形化，形成上电极；上电极的两侧与两个桥型结构分别相连；然后，在上电极和两个桥型结构表面沉积覆盖上电极和两个桥型结构表面的上保护层；

S8：采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层以及下电极上形成通孔，通孔的底部开口于下牺牲层表面；然后，通过湿法腐蚀工艺或干法腐蚀工艺去除两个长条状上牺牲层，并利用通孔去除下牺牲层，从而使两个桥型结构下方形成两个空腔一，下电极和下保护层之间形成空腔二。

2.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述压电层的材料为单晶氮化铝、多晶氮化铝、氧化锌、单晶钽酸锂、锆钛酸铅、铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为10nm-4000nm，横向宽度为180μm-250μm。

3.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述衬底和基底的材料为玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种或多种按任意配比组合。

4.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述待键合层一和待键合层二的材料均为氧化硅、硅中的一种或两种按任意配比组合，厚度均为0.1-10μm。

5.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述下电极和上电极的厚度均为50nm-500nm，横向宽度均为30-240μm。

6.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述下牺牲层和上牺牲层的材料均为多晶硅、非晶硅、二氧化硅、掺杂二氧化碳中的一种或两种按任意配比组合；下牺牲层的厚度为0.5-3μm，横向宽度为20-230μm。

7.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述内环形凸起和外环形凸起的厚度均为50nm-300nm，横向宽度均大于0μm且小于10μm。

8.根据权利要求1所述电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：所述桥型结构的厚度为50nm-500nm，横向宽度大于0μm且小于10μm。