[发明专利]金属薄膜结构、阻变式存储器及阻变式存储器的制作方法在审
| 申请号： | 202110994612.7 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN115734705A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;仇圣棻;杨芸;李晓波 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 袁文婷;张娓娓 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属薄膜结构、阻变式存储器及阻变式存储器的制作方法，其中的制作方法包括：在具有预设结构的底部电极金属层上填充所述电介质层；在所述电介质层上开设具有预设结构的沟道；在所述沟道内部和所述电介质层的上表面填充金属薄膜；通过CMP工艺对所述金属薄膜进行研磨处理以形成所述金属薄膜层；在所述金属薄膜层上填充所述阻变转换层，并在所述阻变转换层上填充所述顶部电极金属层。利用上述发明以解决现有的RRAM中的金属薄膜甚至是其他工艺中的金属薄膜的厚度和表面平整度无法同时满足需求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 结构 阻变式 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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